测试IR2110门驱动器集成电路- (14/17)

在前一教程,讨论了驱动MOSFET的高侧开关,门驱动电路需要被使用。IR2110 IC的高速度和高电压门驱动器集成电路IGBT和功率MOSFET。集成电路是有独立的低和高输出通道。

通过使用一个单一的集成电路,半桥电路可以操作一个MOSFET在高压侧配置和另一个在低端配置。驱动MOSFET的高边,这个集成电路使用一个启动电路,否则可能被设计外部。之前使用这个集成电路驱动半或全桥电路,有必要测试集成电路的不完善。一个错误的集成电路可以输出不稳定,可能炸毁MOSFET或电路中的其他组件。在本教程中,IR2110集成电路测试的方法进行了探讨。

组件需要- - - - - -

1。5 v、12 v直流电源。

2。 IR2110集成电路

3所示。单片机atmega328

4所示。一些跳投

电路连接,

IR2110 IC 14-pin底包。它具有以下配置——销

图1:所需的组件列表IR2110门驱动器集成电路测试仪

ir - 2110具有以下销图-

图2:销IR2110 IC的图

IR2110具有以下的内部电路

图3:IR2110集成电路的内部框图

来源:www.irf.com

在IR2110的内部电路图,偏低和高压侧块分离,虚线为简单起见。上半部分电路适用于驱动高压侧MOSFET和下半部分是驱动MOSFET偏低。

按照IR2110的销配置,SD(关闭)销用于关闭IC。销活性高,所以为使集成电路的工作,这针连接到地面。VDD的电源电压驱动的内部电路IC,应该在3 V 20 V (Vss)按照数据表。VCC直接连接到下水道的内部MOSFET的低端驱动程序(如IR2110的内部电路图所示),它可以在10 v 20 v之间。2110年测试红外IC、5 v是作为VDD并作为VCC 12 v。当输入在林或欣销高集成电路给出输出对应于输入LO和HO销供应。逻辑输入时林和欣很低然后得到一个较低的LO和销。

方波是应用在林和欣销与它们之间的零相位差和波生成使用单片机。欣销时良好的集成电路高那么它应该给高输出否则低,林和罗。

用于测试IC、5 v是作为VDD并作为VCC 12 v。VDD的电源电压和VCC可以来自一个电池,然后调节到5 v、12 v级使用7805年和7812年调压器ICs。电压调节,应该连接到电池的阳极销1调压器的ICs和销2应该脚踏实地。相应的电压输出然后可以来自监管机构的销3 ICs。

的方波输入的应用林和欣销是由一个单片机。该控制器适用于TTL(晶体管-晶体管逻辑)。之间为了避免任何同步误差VDD林和欣/输入供应,5 v是作为VDD。所以,VDD销连接到5 v VCC和Vb大头针连接到12 v电源。SD、Vss COM和Vs大头针连接到地面。

方波可以生成使用任何单片机板。在测试集成电路,方波生成使用Arduino电路板。Arduino是最受欢迎的原型,可以很容易地程序生成一个完美的方波。因为方波必须应用于两个IR2110的别针,Arduino程序输出从两个别针的方波。

组装测试IR2110的电路集成电路时,必须采取以下预防措施,

1。从来没有超过VDD的输入电压和VCC高于其范围,因为它可能损坏集成电路。检查输入电压限制IR2110的数据表。

2。总是常见的地面12 v和5 v供应。

3所示。如果TTL电源用于林然后欣销必须采取VDD等于5 v。这样做应该是为了避免任何破坏状态的输出。

4所示。干净的直流应用于集成电路以避免任何电压峰值。为此,电解质与陶瓷电容器并联电容器可以使用过滤输入电源。

5。做出适当的连接松散的连接可以在输出结果为突变波。